📢 #Gate广场征文活动第三期# 正式启动!
🎮 本期聚焦:Yooldo Games (ESPORTS)
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🏆 一等奖(1名):964 枚
🥈 二等奖(5名):每人 400 枚
🥉 三等奖(10名):每人 150 枚
🚀 参与方式:
在 Gate广场发布不少于 300 字的原创文章
添加标签: #Gate广场征文活动第三期#
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🎯 双倍奖励机会:参与第 286 期 Launchpool!
质押 BTC 或 ESPORTS,瓜分 803,571 枚 $ESPORTS,每小时发放
时间:7 月 21 日 20:00 – 7 月 25 日 20:00(UTC+8)
🧠 写作方向建议:
Yooldo
三星电子NRD-K半导体研发综合体进机 将导入ASML High NA EUV光刻设备
金十数据11月20日讯,三星电子举行了位于器兴园区的NRD-K新半导体研发综合体的进机仪式。NRD-K半导体研发综合体将成为三星电子DS部下属三大事业部(存储器、系统LSI和Foundry)的共同核心研发基地,到2030年这一项目将累计获得约20万亿韩元的投资。NRD-K还将包含一条研发专用线,该产线将于2025年中投入使用。NRD-K综合体将导入ASML High NA EUV光刻机、新材料沉积设备在内的一系列最先进半导体生产工具,旨在加速3D DRAM、千层V-NAND在内的下代存储芯片开发。