📢 #Gate广场征文活动第三期# 正式啓動!
🎮 本期聚焦:Yooldo Games (ESPORTS)
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💡 內容創作 + 空投參與 = 雙重加分,大獎候選人就是你!
💰總獎池:4,464 枚 $ESPORTS
🏆 一等獎(1名):964 枚
🥈 二等獎(5名):每人 400 枚
🥉 三等獎(10名):每人 150 枚
🚀 參與方式:
在 Gate廣場發布不少於 300 字的原創文章
添加標籤: #Gate广场征文活动第三期#
每篇文章需 ≥3 個互動(點讚 / 評論 / 轉發)
發布參與 Launchpool / CandyDrop / Alpha 任一活動的截圖,作爲獲獎資格憑證
同步轉發至 X(推特)可增加獲獎概率,標籤:#GateSquare 👉 https://www.gate.com/questionnaire/6907
🎯 雙倍獎勵機會:參與第 286 期 Launchpool!
質押 BTC 或 ESPORTS,瓜分 803,571 枚 $ESPORTS,每小時發放
時間:7 月 21 日 20:00 – 7 月 25 日 20:00(UTC+8)
🧠 寫作方向建議:
Yooldo
三星電子NRD-K半導體研發綜合體進機 將導入ASML High NA EUV光刻設備
金十數據11月20日訊,三星電子舉行了位於器興園區的NRD-K新半導體研發綜合體的進機儀式。NRD-K半導體研發綜合體將成為三星電子DS部下屬三大事業部(存儲器、系統LSI和Foundry)的共同核心研發基地,到2030年這一項目將累計獲得約20萬億韓元的投資。NRD-K還將包含一條研發專用線,該產線將於2025年中投入使用。NRD-K綜合體將導入ASML High NA EUV光刻機、新材料沉積設備在內的一系列最先進半導體生產工具,旨在加速3D DRAM、千層V-NAND在內的下代存儲芯片開發。